瞻芯研发的紧凑型SiC栅极驱动IVCR1412实现量产，集成负压和米勒效应抑制功能
近期，上海瞻芯电子科技有限公司的比邻驱动®（NextDrive®）芯片IVCR1412正式量产，这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能，且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片，可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。
IVCR1412驱动芯片的输出是一个准电流源，从而免除了所有栅极电阻，又能贴近功率管安装，可最大限度地减小了栅极驱动环路杂散电感，动态均流效果提升明显。该驱动芯片集成了一个负压电荷泵，可以以提供-2V的关断电压。如果不需要-2V的关断电压，直接使用OUT输出即可。由于栅极驱动环路上没有栅极电阻，驱动器的强下拉输出可实现有源米勒效应抑制功能，从而可靠地关断MOSFET。该驱动芯片也适用于硅MOSFET和IGBT驱动。在关断时，驱动芯片的输出首先以4A电流下拉80ns，然后以3 Ω的下拉电阻使输出保持低电平，从而为栅极环路振荡提供必要的阻尼。该驱动芯片还具有一个驱动电流大小的编程引脚，可调节开通时上拉的峰值电流大小，用于 MOSFET 的导通速度调节，便于优化SiC MOSFET的开通速度与系统噪声。IVCR1412是一款高速驱动芯片，器件之间延时失配最大值为3 ns。它非常适合并联 MOSFET的一对一驱动，以实现良好的动态均流。主要应用于新能源汽车OBC、电机驱动、AC/DC和DC/DC转换器、服务器和通信设备的整流器、EV/HEV逆变器及DC/DC转换器、光伏升压及逆变、UPS等领域。欢迎感兴趣的客户伙伴来咨询了解更多信息，并可申领样品。l VDD 欠压保护，4.5V到25V推荐工作电压上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的高素质核心团队，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅（SiC）功率半导体和芯片解决方案提供商。
