8月9日，第十一届（2023年）半导体设备材料与核心部件展示会（CSEAC）在无锡太湖国际博览中心拉开帷幕，389家国内外上下游企业齐聚，覆盖设备与关键核心部件的全产业链，共同打造一场集产业趋势、技术交流、需求对接等多个维度于一体的产业盛会，全方位探讨半导体产业面临的挑战和机遇！
调研数据显示，2022年半导体离子注入设备的市场规模为206亿元，预计2023年增至211亿元；而2022年中国大陆的离子注入设备市场规模为66亿元，预计2023年有望增至74亿元，增速高于全球平均值。这是由于近些年中国半导体行业的投资建设热潮，带动了设备市场的蓬勃发展。
在CSEAC主峰会的演讲中，思锐智能董事长聂翔表示：“市场繁荣增长的另一面，是离子注入机的国产化率仅有约3%，尤其是高能离子注入机，在离子注入机当中属于难度最高的机型，目前国产化进程几乎处于空白状态。我们希望能够通过加速离子注入设备的国产化，从而助力中国集成电路产业的高质量发展。”为了应对离子注入机国产化的迫切需求，自2021年开始，思锐智能充分发挥整合海外技术资源优势，组建了一支海外技术研发专家与本土技术团队相结合的核心技术团队，开启离子注入设备的研发攻关，并率先推出高能离子注入机。
思锐智能董事长聂翔发表主题演讲
目前，思锐智能布局了“高能离子注入机 + 大束流离子注入机”的系列产品组合。例如，机台最高能量达8MeV的高能离子注入机SRII-8M机型是以主流的RF射频加速技术和单晶圆传输架构为基础，向下兼容4.5M、3M机型，已通过SEMI S2 /S23 /S6 /F47 /Hazop 认证。同时，该机型采用先进的金属污染控制技术，可以帮助图像传感器（CIS）客户实现更为严格的金属污染控制。众所周知，在消费类市场，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的能量将达到8MeV、最高甚至超过10MeV，高能离子注入机成为不可替代的选择。
对于大束流离子注入机，思锐智能将推出以宽带束流和单晶圆传输架构为基础、机台能量为0.2- 60keV的SRII-60系列产品，也可支持80keV的选配，帮助客户提高产能。思锐智能的低能大束流机型采用自主专利设计，例如高效的束流传输设计，其减速偏转路径短，可实现高效的束流传输，提高注入的效率和产能，同时也减少能量损耗。
思锐智能高能离子注入机
虽然离子注入机已经在半导体领域广泛应用，但工艺制程的升级变化也在反向推动离子注入设备厂商的技术创新。例如在28nm工艺节点以前，随着晶体管的微缩和工艺节点的升级，离子注入道数越来越多，机台需求也越多；在28nm工艺节点以后，离子注入数目有所减少，但对于机台的Particle控制、角度控制、损伤控制等要求更加严格。
在CSEAC同期的制造工艺与半导体设备产业链联动发展论坛上，思锐智能副总经理陈祥龙表示：“对于中国大陆的半导体市场，产能主要集中在成熟制程。思锐智能希望充分满足这一部分的量产需求，以稳定、可靠的产品进一步巩固市场经验与优势，进而迎接未来先进工艺制程对离子注入机的挑战。目前，SRII在离子注入机的业务布局已经覆盖众多热门应用，持续积累客户端经验。”
思锐智能副总经理陈祥龙发表主题演讲
正如思锐智能在演讲中分享的，功率器件的发展并不是一味追求尺寸的微缩，而是追求耐压、开关速率、转换效率的平衡，其中就要求离子注入机提供稳定的薄片传输能力，因为更薄的器件才能带来更大的电场强度，从而满足耐高压的应用需求。如SiC功率器件，由于SiC难以热扩散，因此需要更高能量才能达到特定深度的注入，而且SiC中掺杂元素的剂量偏大，需要高能或大束流SiC离子注入机来满足量产需求。
